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Patents

​최근 5년 이내의 특허 실적

2022

  • 대면적 이차원 단결정 β-In2S3 제조 기술 확보 및 투명 유연 광검출기 제작 10-2022-0008338

  • Memory device and method of manufacturing the same, US Patent 11,342,344

  • 이중층 산화물에서 누설 전류 특성으로 구현된 저산포 스위칭 전압을 가지는 필라멘트 기반 소자 및 이의 제조방법 10-2359393-0000

2021

  • Memory device and method of manufacturing the same , US Patent App. 17 / 089,286

2020

  • Neuron circuit and operating method thereof, US Patent App. 16/669,471

  • 메모리 소자 및 그 제조 방법, 10-2020-0058889

  • 포화된 이온감지물질을 포함하는 막을 구비하는 나노피펫의 제조방법, 10-2086414

  • 포화된 이온감지물질을 포함하는 막을 구비하는 나노피펫, 10-2086107

2019

  • Nanopipette provided with membrane containing saturated ion-sensitive material, method for preparing same, and ion measuring apparatus comprising same, US Patent App. 15 / 302 , 641

  • 스위치 소자 및 이의 제조 방법(SWITCH DEVICE AND METHOD OF PREAPRING THE SAME), 10-2019-0161876

  • 동일 시스템 내에서 고성능 인공 뉴런 및 시냅스 제작이 가능한 고성능 모노리틱 시스템 개발, 10-2019-0157117

  • 비휘발성 기억소자 구조, 10-2019-0140499

  • NEURON CIRCUIT AND OPERATING METHOD THEREOF, US Patent App. 16 / 669,471

  • 뉴런 회로 및 그 동작 방법, 10-2019-0120055

  • 포화된 이온감지물질을 포함하는 막을 구비하는 나노피펫, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 이온 측정 장치, US Patent App. 15 / 302 , 641

  • 층상구조의 전이금속 황화인을 이용한 터널링 접합 소자, 10-1980105

2018

  • Selectively activated synaptic device with ultrasmall dimension and low power consumption, App. 15 / 638 , 758

  • Biopolar 특성의 멤리스터 기반 모노리틱 뉴런-시냅스 소자, 10-2018-0150954

  • MPSx 물질 기반의 게이트 절연물질을 이용한 전계효과 트랜지스터, 10-2016-0003002

  • 포화된 이온감지물질을 포함하는 막을 구비하는 나노피펫의 제조방법, 10-2018-0062940

2017

  • 층상구조의 전이금속 황화인을 이용한 터널링 접합 소자, 10-2017-0102477

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